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近年來，隨著極大規(guī)模集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，高純氫氟酸、高純硝酸的使用范圍越來越廣，面對技術(shù)指標(biāo)不統(tǒng)一、執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)不一致的現(xiàn)狀，在全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會、全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會的組織下，ICAS英格爾協(xié)同國內(nèi)外專業(yè)機構(gòu)，共同起草制定了T/CNIA0117-2021《電子工業(yè)用高純氫氟酸中痕量陰離子含量的測定 離子色譜法》以及T/CNIA0119-2021《電子工業(yè)用硝酸中痕量陰離子含量的測定 離子色譜法》。

統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，助力半導(dǎo)體轉(zhuǎn)型

雖然，中國已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體市場，但隨著集成電路產(chǎn)業(yè)對電子材料的純度要求不斷升高，在一些關(guān)鍵的高端材料中，國產(chǎn)化仍存在問題。高端產(chǎn)業(yè)主要被歐美日韓等少數(shù)國家壟斷，國內(nèi)大部分產(chǎn)品自給率較低。

隨著以美國為首的西方勢力對中國半導(dǎo)體材料的技術(shù)制約。半導(dǎo)體材料行業(yè)逐漸向精細化、高端化、尖端化自給自足的方向轉(zhuǎn)型。由于半導(dǎo)體材料種類繁多，加工工藝復(fù)雜，形態(tài)各異，技術(shù)難度高，真實的反映半導(dǎo)體材料質(zhì)量情況，掌握其關(guān)鍵參數(shù)的生成工藝，才能助力研發(fā)技術(shù)的更新迭代。因此建立一個適用于電子材料產(chǎn)業(yè)的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和檢測方法標(biāo)準(zhǔn)，對促進我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。

英格爾推動產(chǎn)業(yè)鏈的完善

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，材料和設(shè)備是推動集成電路技術(shù)創(chuàng)新的引擎，也是芯片制造的支撐性行業(yè)，所有的制造和封測工藝都會用到不同的半導(dǎo)體材料。

伴隨著物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、人工智能、5G通信、新能源汽車等行業(yè)快速發(fā)展，國內(nèi)芯片市場需求持續(xù)增長。巨大的機遇推動我國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)初步形成較完整創(chuàng)新研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化體系。我國開展第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)研究的國家重點實驗室、國家工程中心、國家工程實驗室20余家。上、中、下游及設(shè)計、配套等各環(huán)節(jié)均開始逐步完善，初步形成了較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈。

英格爾作為產(chǎn)業(yè)鏈的其中一環(huán)，已經(jīng)具備標(biāo)準(zhǔn)編制即相關(guān)實驗條件和分析能力，以創(chuàng)新技術(shù)為核心，推動了2項標(biāo)準(zhǔn)的起草。英格爾聯(lián)合國際巨頭安捷倫共同建立的高純電子材料聯(lián)合檢測中心，具備CMA、CNAS雙資質(zhì)認(rèn)可，百級潔凈實驗室環(huán)境，并嚴(yán)格按照合規(guī)化標(biāo)準(zhǔn)化質(zhì)量要素管控。不僅具備高標(biāo)準(zhǔn)實驗室、實驗設(shè)備，同時具備專業(yè)技術(shù)人員，能對particles、金屬元素、陰離子、理化參數(shù)等性能進行評估并加以鑒別，滿足整體產(chǎn)品質(zhì)量質(zhì)控，以專業(yè)化、合規(guī)化認(rèn)證、檢測、分析、研發(fā)能力推動產(chǎn)業(yè)鏈的完善。