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　　目前，世界和中國的電子化工產品通常執行半國際標準，其關鍵技術指標包括單金屬離子、單陰離子、粒子數等，根據不同產品的特點，增加一些其他技術指標

　　電子化學品質量標準的演變

　　以標準化超清潔和高純度試劑的世界標準，semi（semiconductor equipment and Materials International）于1975年成立了半化學試劑標準化委員會，以制定和標準化超清潔和高純度試劑半標準的國際統一標準。1978年，德國默克公司也制定了MOS標準。這兩個標準對超清潔和高純度化學品中的金屬雜質和（灰塵）顆粒的要求有不同的強調，分別適用于不同級別集成電路的制造要求

　　國際公認的電子化學品標準大致可分為四類：一類是基于semi的美國試劑標準；是基于德國e.merck標準的歐洲試劑標準；一是以關東和和和子的濕電子化學品為代表的日本試劑標準；另是以rea為代表的俄羅斯試劑標準。ULSI在世界范圍內的快速發展使這些標準的指標逐漸接近，但在進入21世紀之前，半標準已在世界范圍內得到廣泛認可，國際標準化半組織根據世界電子化學品的實際發展情況，合并了原有的分類體系。它根據品種對其進行分類，并將每個品種合并為一個指導標準，包括不同工藝和技術的多個等級。對應不同技術水平的集成電路，對電子化學品的標準要求越高，對純度和清潔度的要求就越高。如果電子化學品分級或分級，則用于≥1.2μM為低檔產品（需半C1級濕電子化學品），0.8～1.2μM為中低檔產品（需半C7級電子化學品），0.2～0.6μM為中高端產品（需半C8級電子化學品）。0.09～0.2μM和<；零點零九μM屬于高端產品（需要半C12級電子化學品），其中≥1.2μM和0.8～1.2μM硅片主要用于制作分立器件；0.2～0.6μM和0.09～0.2μM硅片主要用于大規模集成電路和超大規模集成電路制造

　　可以看出，電子化學品制備的關鍵是控制并達到所需的雜質含量和粒徑。為了使超凈高純度試劑的質量達到要求，必須同時從多個方面進行保證，包括試劑純化、包裝、供應系統和分析方法。目前，世界上常用的純化工藝有十多種，適用于生產不同成分和要求的超清潔高純度試劑，如蒸餾、精餾、連續精餾、鹽熔精餾、共沸精餾、亞沸精餾、等溫精餾、，真空蒸餾、蒸餾、化學處理、氣體吸收等超清潔高純度試劑在運輸過程中容易受到污染，因此超清潔高純度試劑的包裝和供應方式是電子化學品使用的重要組成部分。特別是粒子控制的相關技術貫穿于超清潔高純度試劑的生產和運輸，包括環境控制、過程控制、成品包裝控制等環節

　　目前，國際上制備半c1到半c12電子化學品的技術已經成熟。隨著集成電路制造要求的提高，工藝中對濕電子化學品純度的要求也越來越高。從技術趨勢來看，滿足納米級集成電路的加工需求是超清潔高純度試劑未來的發展方向之一。